УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ ОТ АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ - часть 17

Для предотвращения подведения напряжения источника пита­ния на вход ПЧН в состав схемы защиты введен разделительный конденсатор С1.

Защита электронной аппаратуры от выхода из строя при подведении к ней напряжения питания обратной полярности

Для обеспечения в этом случае защиты в цепь питания электронной аппаратуры достаточно включить диод. Тогда при подведении к аппаратуре напряжения обратной полярности цепь ее питания окажется разорванной из-за включения защитного диода в непроводящем направлении. Данный способ защиты сле­дует применять в тех случаях, когда дополнительное падение на­пряжения в защитном диоде (0,6 — 0,8 В) приемлемо. Имеются, однако, случаи, когда такое падение напряжения недопустимо. В частности, при номинальном напряжении бортовой сети 12 В введение в цепь питания электронной схемы дополнительного диода приведет к тому, что минимально возможное напряжение ее питания снизится до 10 В. При этом невозможно будет обеспечить требуемое для ряда потребителей стабилизированное напряже­ние 10 В.

Рис. 50. Схемы устройств защиты от подключения к электронному блоку напряжения обратной полярности: а — цепей управления; б — силовой це­ли и цепей управления

При номинальном напряжении бортовой сети 12 В проблема защиты маломощных цепей от подведения напряжения обратной полярности может быть решена с помощью схемы, приведенной на рис. 50, а. В случае подведения напряжения требуемой поляр­ности транзистор VT1 работает в режиме насыщения с падением напряжения в его переходе эмиттер — коллектор порядка 0,1 — 0,15 В по сравнению с падением напряжения в защитном диоде 0,6 — 0,8 В. Если подается напряжение обратной полярности, то транзистор VT1 останется закры­тым, в результате чего цепь пита­ния электронного блока ЭБ ока­жется разорванной. Следует, однако, иметь в виду, что данная схема может быть применена только в том случае, если допу­стимое напряжение между ба­зой и эмиттером транзистора превышает максимальное напря­жение источника цитания. В про­тивном случае произойдет пробой перехода база — эмиттер с откры­тием перехода коллектор — эмит­тер транзистора.