ТИПОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ - часть 5

По отношению к шине — Uст напряжение, подводимое к базе транзистора VT1, определяется выражением

UБ1 = Uст — Uоп (2)

где Uст

— напряжение между положительным полюсом бортовой сети (вывод + UCT) и выходом стабилизатора (вывод — UCT).

Напряжение, подводимое к эмиттеру транзистора VT1, определяется по формуле

Uэ1 = (UстR5 + ДUVD2R3)/(Rз + R5). (3)

где ДUVD2 — падение напряжения в диоде VD2.

С учетом формул (2) и (3) напряжение между эмиттером и базой транзистора VT1 может быть записано в виде

UЭБ1 = Uоп - (Uст - ДUVD2) R3/(R3 + R5). (4)

Если напряжение UЭБ1 станет меньше 0,3 — 0,4 В, то транзистор VT1 будет закрыт. Вследствие этого окажется выключенным транзистор VT2, и выходное напряжение стабилизатора уменьшится до нуля. При увеличении напряжения Uэв1 до 0,5 — 0,65 В транзистор VT1 переходит в режим насыщения, вследствие чего в таком же режиме будет работать и транзистор VT2. В результате напряжение на, выходе стабилизатора окажется близким к напряжению бортовой сети. Очевидно, что как тот, так и другой режимы транзисторов не реализуются в стабилизаторе, поскольку его выходное напряжение не должно быть равно ни нулю, ни напряжению бортовой сети. Вследствие этого напряжение Uэв! будет составлять 0,4 — 0,5 В (в зависимости от напряжения бортовой сети).

С учетом изложенного выше и выражения (4) формула для определения выходного (стабилизированного) напряжения стабилизатора может быть записана в виде

(5)

Из формулы (5) следует, что при постоянстве падения напряжения ДUVD2

в диоде VD2 величина стабилизированного напряжения UCT зависит только от опорного напряжения U0n стабилитрона VD1 и сопротивления резисторов КЗ, R5. Опорное напряжение стабилитронов типа Д818Б может иметь разброс в пределах 7,2 — 9 В. Для того чтобы при таком разбросе напряжения Uon обеспечить с высокой точностью заданный уровень UCT, резистор R5 используют в качестве подстроечного элемента схемы.

Содержание Назад Вперед