ЭЛЕКТРОНИКА АВТОМОБИЛЬНЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ
ТИПОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ - часть 41
Применение стабилитрона VD1 обеспечивает постоянство напряжения UB1, подводимого к базе транзистора VT1, независимо от напряжения Un
бортовой сети. Напряжение Uэ1, подводимое к эмиттеру транзистора VT1, определяется падением напряжения в измерительном резисторе R6 при прохождении через него тока Iэм. Сила тока IБ1, проходящего через базу транзистора VT1, определяется разностью напряжений UB1
и Uэ1. Чем больше эта разность, тем выше сила тока IБ1, следствием чего является увеличение силы тока IK1 коллектора транзистора VT1, а также силы тока базы IБ2 и коллектора IК2
транзистора VT2, определяющего величину тока Iэм.
Рис. 38. Схема регулятора силы тока с непрерывным регулированием и зависимость тока Iэм и напряжения UCT от напряжения Un
Параметры схемы рассчитывают таким образом, чтобы при прохождении через резистор R6 тока электромагнита Iэмн
заданной силы падение напряжения в резисторе обеспечивало такую разность UB1 — Uэ1, которая необходима для получения тока IК2=Iэм н. При отклонении силы тока в обмотке электромагнита от заданного значения Iэмн, например, в сторону увеличения возрастет падение напряжения в резисторе R6 и, следовательно, уменьшится разность UБ1 — UЭI. Это приведет к снижению силы тока IБ1 и восстановлению прежней силы тока Iэмн в обмотке электроглагнита.
В случае уменьшения силы тока Iмэ, наоборот, произойдет увеличение разности UБI — Uэ1 , что обусловит восстановление заданной силы тока Iэм н. Надо отметить, что сила тока в обмотке электромагнита не зависит ни от сопротивления его обмотки, ни от напряжения источника питания, так как режим работы транзисторов VT1 и VT2 определяется исключительно падением напряжения в резисторе R6, которое является функцией толька силы тока Iэм. Данная особенность рассматриваемой схемы является важным ее преимуществом.
Если параллельно переходу эмиттер — коллектор транзистора VT2 подключить, как это показано штриховой линией на рис. 38, резистор R7, то тепловой режим транзистора VT2 существенно улучшится, так как часть тока обмотки электромагнита будет проходить через этот резистор. Сопротивление резистора R7 должно быть выбрано таким, чтобы при максимально возможном напряжении питания сила проходящего через него тока была не больше заданного значения Iэмн.
