ТИПОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ - часть 41

Применение стабилитрона VD1 обеспечивает постоянство на­пряжения UB1, подводимого к базе транзистора VT1, независимо от напряжения Un

бортовой сети. Напряжение Uэ1, подводимое к эмиттеру транзистора VT1, определяется падением напряжения в измерительном резисторе R6 при прохождении через него тока Iэм. Сила тока IБ1, проходящего через базу транзистора VT1, определяется разностью напряжений UB1

и Uэ1. Чем больше эта разность, тем выше сила тока IБ1, следствием чего является уве­личение силы тока IK1 коллектора транзистора VT1, а также силы тока базы IБ2 и коллектора IК2

транзистора VT2, определяющего величину тока Iэм.

Рис. 38. Схема регулятора силы тока с непрерывным регулированием и зави­симость тока Iэм и напряжения UCT от напряжения Un

Параметры схемы рассчитывают таким образом, чтобы при прохождении через резистор R6 тока электромагнита Iэмн

задан­ной силы падение напряжения в резисторе обеспечивало такую разность UB1 — Uэ1, которая необходима для получения тока IК2=Iэм н. При отклонении силы тока в обмотке электромагнита от заданного значения Iэмн, например, в сторону увеличения воз­растет падение напряжения в резисторе R6 и, следовательно, уменьшится разность UБ1 — UЭI. Это приведет к снижению силы тока IБ1 и восстановлению прежней силы тока Iэмн в обмотке электроглагнита.

В случае уменьшения силы тока Iмэ, наоборот, произойдет увеличение разности UБI — Uэ1 , что обусловит восстановление за­данной силы тока Iэм н. Надо отметить, что сила тока в обмотке электромагнита не зависит ни от сопротивления его обмотки, ни от напряжения источника питания, так как режим работы тран­зисторов VT1 и VT2 определяется исключительно падением напря­жения в резисторе R6, которое является функцией толька силы тока Iэм. Данная особенность рассматриваемой схемы является важным ее преимуществом.

Если параллельно переходу эмиттер — коллектор транзистора VT2 подключить, как это показано штриховой линией на рис. 38, резистор R7, то тепловой режим транзистора VT2 существенно улучшится, так как часть тока обмотки электромагнита будет про­ходить через этот резистор. Сопротивление резистора R7 должно быть выбрано таким, чтобы при максимально возможном напря­жении питания сила проходящего через него тока была не больше заданного значения Iэмн.