= = Uц — UC2, которое ниже напряжения UB7 = Un
— UC5, подводимого к базе транзистора VT7.
Рис. 36. Формы сигналов элементов ПЧН по схеме рис. 35: а и. б — соответственно при низкой и высокой частотах входного сигнала
Транзисторы VТ7 и VT8, включенные по схеме эмиттерного повторителя, образуют схему типа ИЛИ, которая пропускает на выход входное напряжение низшего уровня. Поэтому к базе транзистора VT9, также включенного по схеме эмиттерного повторителя, будет подведено напряжение UB9 =ДUБ8 +UЭБЗ = = Un — Uс2mаx + ДUэБ8 (где ДUЭБ8 — падение напряжения в переходе эмиттер — база транзистора VT8). Этому напряжению будет соответствовать выходное напряжение ПЧН
Uвых = Uп - UС2mах + ДUЭБ8 + ДUЭБ9 — ДUЭБ1О - АUЭБ11, (27)
где ДUЭБ9, AUЭБ10 и ДUэв11 — падения напряжения на переходе эмиттер — база транзисторов соответственно VT9, VT10, VT11.
Падение напряжения на переходе база — эмиттер транзисторов VT8, VT9, VT10 и VT11 в первом приближении может быть принято одинаковым. Тогда формула (27) приобретает вид Uвых
=
После окончания действия импульса входного сигнала (см. рис. 36, а, точка Б) напряжение на базе транзистора VT1 снижается до нуля, а напряжение Uкл на его коллекторе возрастает. В результате закрытия транзистора VT1 через резисторы R4, R17 и R18 разряжается ранее заряженный конденсатор С4. Тем самым создается возможность последующего включения транзистора VT6 (в следующем пол у цикле работы схемы). Кроме того, закрытие транзистора VT1 вызывает следующие изменения в работе схемы: открываются транзисторы VT2 и VT3 и закрывается транзистор VT4. В результате открытия транзистора VT3 создается цепь для прохождения базового тока IБ5
транзистора VT5, благодаря чему открывается переход эмиттер — коллектор данного транзистора и быстро разряжается конденсатор С2. При прохождении тока IБ5 конденсатор СЗ быстро заряжается, что обусловливает закрытие транзистора VT5. Тем самым подготовляется возможность последующей зарядки конденсатора С2.