ЭЛЕКТРОНИКА АВТОМОБИЛЬНЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ



         

ТИПОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ - часть 27


где UC5 max(i-1) — максимальное напряжение на конденсаторе С5 в конце (i — 1)-го цикла.

Зависимость напряжения Uвых на выходе ПЧН от частоты f входных сигналов, полученная при испытаниях ПЧН, выполнен­ного по схеме рис. 21, является нелинейной (рис. 23). Однако, как это показано штриховыми линиями на рис. 23, нелинейная харак­теристика ПЧН может быть с достаточной точностью представ­лена в виде двух отрезков с линейным изменением выходного на­пряжения от частоты входного сигнала в диапазонах 20 — 70 и 70 — 130 Гц. Для ряда устройств электронных систем управления агрегатами автомобилей линейность зависимости Uвых = F(f) не является обязательным требованием к характеристике ПЧН.

Выходное напряжение ПЧН по схеме рис. 21 является функ­цией напряжения, до которого заряжается конденсатор С5, При этом несмотря на то, что связь между конденсатором С5 и выхо­дом ПЧН осуществляется через несколько полупроводниковых приборов, в выражении (18) отсутствуют составляющие, завися­щие от характеристик этих полупроводниковых приборов. Данная особенность схемы является существенным ее преимуществом, поскольку обеспечивается высокая температурная стабильность характеристики Usblx

= F(f) ПЧН, несмотря на значительное влия­ние температуры на параметры полупроводниковых приборов. Такой результат получен вследствие того, что связь между конден­сатором С5 и выходом ПЧН образова­на с помощью эмиттерных повторите­лей, выполненных на базе транзисто­ров типа р-n-р (VT6, VT8) и типа n-р-n (VT9, VT10, VT11). При этом падения напряжения в переходах ба­за — эмиттер транзисторов типов р--n-р и n-р-n имеют обратные зна­ки, что обеспечивает их взаимную компенсацию, независимо от темпера­туры окружающей среды. В рассмат­риваемой схеме вместо одного эмит-терного повторителя на базе транзи­стора типа р = n = р используется диод VD2, падение напряжения в котором компенсирует падение напряжения в одном из эмиттерных повторителей на базе транзисторов типа n-р-n.




Содержание  Назад  Вперед