Таким образом, быстродействие ПЧН, т.
Таким образом, быстродействие ПЧН, т. е. продолжительность формирования выходного напряжения в зависимости от частоты входного сигнала, равно продолжительности цикла входного сигнала. Это весьма высокий показатель быстродействия ПЧН.
Недостатком данного ПЧН является наличие провалов в кривой выходного напряжения (см. рис. 20). Эти провалы, однако, весьма короткие по продолжительности, и их легко ликвидировать либо с помощью фильтра, имеющего малую постоянную времени, либо иными способами, которые рассмотрены ниже.
Схема ПЧН, действующего в соответствии с рассмотренным принципом, изображена на рис. 21. Для обеспечения четкой работы формирователей периодов зарядки и разрядки конденсаторов интегратора С5 и запоминающего элемента С6 необходимо подавать на вход этих формирователей прямоугольные импульсы. Данное требование обеспечивается благодаря выполнению преобразователя входных сигналов в виде ключа на транзисторе VT1.
Напряжение UK1 на коллекторе транзистора VT1 (рис. 22) является входным напряжением для формирователя периода разрядки конденсатора С6 запоминающего элемента, состоящего из конденсатора С2, резисторов R5 и R6, а также транзистора VT2.
В момент появления напряжения UKI (рис. 22, точка А) через ранее разрядившийся конденсатор С2 на базу транзистора VT2 поступает ток Iв2=Iс2. Открытие при этом перехода коллектор — эмиттер транзистора VT2 обеспечивает быструю разрядку конден-тасора С6 и, как следствие, снижение до нуля выходного напряжения UВЫХ.
Рис. 22. Формы сигналов элементов ПЧН по схеме рис. 21: а и б — соответственно при низкой и высокой частотах входного сигнала
В результате прохождения тока IC2 через конденсатор С2 происходит постепенная его зарядка, вследствие чего уменьшается до нуля базовый ток транзистора VT2, и он выключается.
При появлении напряжения Uкл наряду с открытием транзистора VT2 включается и транзистор VT3, поскольку в его базу поступает ток IБЗ=IСЗ
через ранее разрядивший конденсатор СЗ. В результате этого напряжение на базе транзистора VT7 снижается, что обеспечивает его выключение с отключением от отрицательного полюса источника питания базы транзистора VT8. Тем самым подготовляется возможность последующей зарядки конденсатора Сб.
Содержание Назад Вперед
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий