ЭЛЕКТРОНИКА АВТОМОБИЛЬНЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ



         

ТИПОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ - часть 15


Появление напряжения с уровнем «логической 1» на выходе 9 элемента ЭЗ и, следовательно, на входе 1 элемента Э1 в сочетании с подведением напряжения такого же уровня к входу 2 элемента Э1 обеспечивает установку одновибратора в исходное состояние. При этом поскольку транзистор VT2 будет закрыт, через резистор R2 произойдет быстрая зарядка конденсатора С, и схема ока­жется подготовленной к последующей работе.

Для реализуемого в одновибраторе процесса перезарядки кон­денсатора (вследствие подведения к нему напряжения питания обратной полярности) характерно более интенсивное снижение напряжения на конденсаторе по сравнению с режимом обычной его разрядки (см. рис. 11). Благодаря этому при Uс=±0,5 В из­менение напряжения в процессе перезарядки конденсатора происходит достаточно интенсивно. Поэтому можно сделать допущение о том, что окончание импульса на выходе одновибратора соответ­ствует перезарядке конденсатора не до уровня 0,3 — 0,5 В, а до напряжения, равного нулю. При таком допущении продолжитель­ность импульса одновибратора

tи = — RС1n0,5=0,7RС.

Стабильность продолжительности импульса tи одновибратора, в первую очередь, определяется характеристиками конденсатора. Если требования к стабильности tи высоки, то нельзя применять в одновибраторе оксидно-полупроводниковые конденсаторы (имеющие минимальные размеры). В этом случае необходимо ис­пользовать конденсаторы иного типа, но во избежание чрезмер­ного увеличения размеров аппаратуры емкость конденсатора С приходится значительно ограничивать. Для получения же требуе­мой величины in необходимо увеличивать сопротивление рези­стора R. В рассматриваемом одновибраторе эта задача решается без особых затруднений путем применения транзистора VT4 с вы­соким коэффициентом усиления.

Это можно проиллюстрировать на примере использования в одновибраторе логических микросхем серии К511, у которых максимальная сила входного тока составляет ~0,5 мА. Такой ток Iк должен проходить в цепи коллектора транзистора VT4 и для его обеспечения сила тока в цепи базы транзистора (проходящего через резистор R)




Содержание  Назад  Вперед