ЭЛЕКТРОНИКА АВТОМОБИЛЬНЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ


         

ческий коэффициент передачи тока h21э,


, стати­ ческий коэффициент передачи тока h21э, значения обратных токов IКБО и IЭБО.

Если источником питания транзисторов является непосредст­венно бортовая сеть автомобиля, то к числу наиболее важных параметров транзисторов следует отнести величины Uкэ, и max и Uкэmах, которые должны быть не ниже возможных уровней пере­напряжений в бортовой сети. В остальных случаях значение Uкэmах должно быть по крайней мере не ниже напряжения источ­ника питания транзисторов.

В табл. 18 приведены характеристики некоторых транзисторов, которые могут быть рекомендованы для применения в качестве усилительных и коммутирующих элементов устройств средней мощности.

Транзисторы малой мощности цепей управления. К данной группе условно можно отнести транзисторы с максимальной силой постоянного тока меньше 200 мА или с рассеиваемой мощностью ниже 250 мВт.

Для транзисторов этой группы наряду со значениями Iк max и Ртах наиболее важными являются следующие параметры: стати­ческий коэффициент передачи тока h21э, обратные токи Iкво

и IЭБО; постоянное напряжение эмиттер — база U ЭБ ; напряжение насыщения коллектор — эмиттер Uкэ наг и база — эмиттер Uвэ

нас-

Номенклатура выпускаемых транзисторов малой мощности весьма широка. Это позволяет, исходя из конкретных условий при­менения, выбрать наиболее соответствующий по параметрам тип транзистора. Вместе с тем в автомобильной электронной аппара­туре все же рекомендуется использовать ограниченную номенкла­туру таких транзисторов (см. табл. 18).

16. Характеристики транзисторов силовых цепей типа n-p-t



























































































































































































































































































































































































































































Тип транзистора



IК.А



IБ.А



Uкэ.В



UКЭ и max

В



UЭБ, В



Температура окружающей среды, °С



Режим усиления



Я при 50°С, Вт



IКБО. МА



IЭБО, мА



IкэR мA



Диаметр, мм



Высота, мм



VA



икэ-в



Л21Э



КТ803А



10/5



-/1



60/2,5



80



4,5/ —



— 40 — +100



5



10



10 — 70



60 (30)





50



5



29



25,6



КТ805А



5/5



2/0,5



1/2,5



160



5/2,5



— 60 — +100



2



10



15



30(15)



60



100





28



23,5



КТ805АМ



5/5



2/0,5



1/2,5



160



5/2,5



— 60 — +100



2



10



15



30(15)



60



100



5



10Х16*2



4,8



КТ808АМ



10/6



4/0,6



120/ —



250



4/1,4



— 60 — +125



6



3



20



50





10



3



29



25,6



КТ815В



1,5/0,5



0,5/0,05



70/0,6





5/1,2



— 40 — +100



0,15



2



40



10*1



0,05







7,8х11*2



2,8



КТ815Г



1,5/0,5



0,5/0,05



100/0,6





5/1,2



— 40 — +100



0,15



2



30



10*1



0,05







7,8х11*2



2,8



КТ817В



3/3



1/0,3



60/1





5/1,5



— 60 — +125



2



2



20



25* *



0,1







7.8Х11*2



2,8



КТ817Г



3/3



1/0,3



100/1





5/1,5



— 60 — +125



2



2



15



25*1



0,1







7,8x11**



2,8



КТ827А



20/20



0,5/0,2



100/2,4



100



5/3



— 60 — +125



10



3



6000



125*1





2



3



39х26*2



10,3



КТ827Б



20/20



0,5/0,2



80/2,4



80



5/3



— 60 — +125



10



3



6000



125*1





2



3



39х26*2



10,3



КТ908А



10/10



5/2



100/1,5





5/2,3



— 60 — +125



10



2



8 — 60



50



25



300





. 29



25,6

<

Содержание  Назад  Вперед